时间：2025/5/8 19:46:40
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BSO615C G 是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频、高效能开关应用。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适合于各类电源管理电路，例如开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。
该型号由BSC公司推出，采用TO-220封装形式，能够有效散热并适应高电流工作环境。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：15A
导通电阻：4.5mΩ
总功耗：130W
结温范围：-55℃至150℃
存储温度范围：-55℃至150℃
BSO615C G 的主要特点是其具备非常低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为4.5毫欧姆。这有助于减少传导损耗，并提高系统效率。
同时，它拥有较快的开关速度，能够降低开关损耗，从而提升整体性能。此外，该器件还支持较高的峰值电流和良好的热稳定性，适用于工业及消费类电子领域中的高性能要求。
由于采用了优化的硅片工艺与封装设计，BSO615C G 能够提供可靠的电气性能和机械强度，在长时间运行中表现稳定。
这款MOSFET广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制器
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化控制
6. 照明驱动电路
7. 各类负载切换电路
凭借其低导通电阻和快速开关能力，BSO615C G 成为许多高效率、紧凑型设计的理想选择。
IRF540N
STP15NF06
FDP18N06L
